NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

Apejuwe kukuru:

Awọn olupese: ON Semikondokito

Ẹka Ọja: Transistors – FETs, MOSFETs – Arrays

Iwe Data:NTJD5121NT1G

Apejuwe: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Ipo RoHS: Ibamu RoHS


Alaye ọja

Awọn ẹya ara ẹrọ

Awọn ohun elo

ọja Tags

♠ Apejuwe ọja

Ipinfunni del ọja Valor de abuda
Ohun elo: onsemi
Ẹka ti ọja: MOSFET
RoHS: Awọn alaye
Imọ-ẹrọ: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SC-88-6
Polaridad del transistor: N-ikanni
Número de canales: 2 ikanni
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id - Corriente de drenaje tẹsiwaju: 295 mA
Rds Lori - Resistencia entre drenaje y fuente: 1.6 ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 900 pc
Awọn iwọn otutu ti o ni ibatan si: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 250mW
Modo canal: Imudara
Empaquetado: Reli
Empaquetado: Teepu Ge
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi
Iṣeto: Meji
Ohun elo: 32 ns
Altura: 0.9 mm
Longitud: 2 mm
Ilana ti ọja: MOSFET
Ilana fun: 34 ns
Seria: NTJD5121N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Ẹka-ẹka: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 N-ikanni
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Ancho: 1.25 mm
Peso de la unidad: 0,000212 iwon

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • RDS Kekere(tan)

    • Ilẹ-ọna Ẹnu-kekere

    • Low Input Capacitance

    • ESD Idaabobo Ẹnubodè

    • Apejuwe NVJD fun Ọkọ ayọkẹlẹ ati Awọn ohun elo miiran ti o nilo Aye Alailẹgbẹ ati Awọn ibeere Iyipada Iṣakoso;AEC-Q101 Oye ati PPAP Agbara

    Eyi jẹ Ẹrọ Ọfẹ Pb

    • Low Side Fifuye Yipada

    • Awọn iyipada DC-DC (Buck ati Awọn iyika Igbelaruge)

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