NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Apejuwe ọja
Ipinfunni del ọja | Valor de abuda |
Ohun elo: | onsemi |
Ẹka ti ọja: | MOSFET |
RoHS: | Awọn alaye |
Imọ-ẹrọ: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
Polaridad del transistor: | N-ikanni |
Número de canales: | 2 ikanni |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 60 V |
Id - Corriente de drenaje tẹsiwaju: | 295 mA |
Rds Lori - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.6 ohms |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
Qg - Carga de puerta: | 900 pc |
Awọn iwọn otutu ti o ni ibatan si: | - 55 C |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
Dp - Disipación de potencia : | 250mW |
Modo canal: | Imudara |
Empaquetado: | Reli |
Empaquetado: | Teepu Ge |
Empaquetado: | MouseReel |
Marca: | onsemi |
Iṣeto: | Meji |
Ohun elo: | 32 ns |
Altura: | 0.9 mm |
Longitud: | 2 mm |
Ilana ti ọja: | MOSFET |
Ilana fun: | 34 ns |
Seria: | NTJD5121N |
Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
Ẹka-ẹka: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 2 N-ikanni |
Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
Ancho: | 1.25 mm |
Peso de la unidad: | 0,000212 iwon |
RDS Kekere(tan)
• Ilẹ-ọna Ẹnu-kekere
• Low Input Capacitance
• ESD Idaabobo Ẹnubodè
• Apejuwe NVJD fun Ọkọ ayọkẹlẹ ati Awọn ohun elo miiran ti o nilo Aye Alailẹgbẹ ati Awọn ibeere Iyipada Iṣakoso;AEC-Q101 Oye ati PPAP Agbara
Eyi jẹ Ẹrọ Ọfẹ Pb
• Low Side Fifuye Yipada
• Awọn iyipada DC-DC (Buck ati Awọn iyika Igbelaruge)