Chip iranti ferroelectric ti o da lori hafnium tuntun ti Ile-iṣẹ Microelectronics ti ṣii ni Apejọ Ayika Isopọpọ Apapọ International Solid-State ni 2023

Iru tuntun ti chirún iranti ferroelectric ti o da lori hafnium ni idagbasoke ati apẹrẹ nipasẹ Liu Ming, Academician ti Institute of Microelectronics, ti gbekalẹ ni IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) ni 2023, ipele ti o ga julọ ti apẹrẹ iyika iṣọpọ.

Iṣẹ-giga ti a fi sii iranti ti kii ṣe iyipada (eNVM) wa ni ibeere giga fun awọn eerun SOC ni ẹrọ itanna olumulo, awọn ọkọ ayọkẹlẹ adase, iṣakoso ile-iṣẹ ati awọn ẹrọ eti fun Intanẹẹti ti Awọn nkan.Iranti Ferroelectric (FeRAM) ni awọn anfani ti igbẹkẹle giga, agbara agbara-kekere, ati iyara giga.O ti wa ni lilo pupọ ni iye nla ti gbigbasilẹ data ni akoko gidi, kika data loorekoore ati kikọ, agbara kekere ati awọn ọja SoC/SiP ti a fi sii.Iranti Ferroelectric ti o da lori ohun elo PZT ti ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-pupọ, ṣugbọn ohun elo rẹ ko ni ibamu pẹlu imọ-ẹrọ CMOS ati pe o nira lati dinku, ti o yori si ilana idagbasoke ti iranti ferroelectric ibile jẹ idilọwọ ni pataki, ati isọdọkan ti o fi sii nilo atilẹyin laini iṣelọpọ lọtọ, o nira lati ṣe olokiki. lori titobi nla.Miniaturability ti iranti ferroelectric orisun-hafnium tuntun ati ibamu rẹ pẹlu imọ-ẹrọ CMOS jẹ ki o jẹ aaye iwadii ti ibakcdun ti o wọpọ ni ile-ẹkọ giga ati ile-iṣẹ.Iranti ferroelectric ti o da lori Hafnium ni a ti gba bi itọsọna idagbasoke pataki ti iran atẹle ti iranti tuntun.Ni lọwọlọwọ, iwadii ti iranti ferroelectric orisun-hafnium tun ni awọn iṣoro bii igbẹkẹle ẹyọkan ti ko pe, aini apẹrẹ chirún pẹlu iyika agbeegbe pipe, ati iṣeduro siwaju sii ti iṣẹ ipele ërún, eyiti o ṣe idiwọ ohun elo rẹ ni eNVM.
 
Ni ifọkansi awọn italaya ti o dojukọ nipasẹ iranti ferroelectric orisun-hafnium ti o ni ifibọ, ẹgbẹ ti Academician Liu Ming lati Institute of Microelectronics ti ṣe apẹrẹ ati imuse megab-magnitude FeRAM chip idanwo fun igba akọkọ ni agbaye ti o da lori ipilẹ isọdọkan titobi nla. ti hafnium-orisun ferroelectric iranti ibaramu pẹlu CMOS, ati ni ifijišẹ pari awọn ti o tobi-asekale Integration ti HZO ferroelectric kapasito ni 130nm CMOS ilana.Circuit kikọ ti o ṣe iranlọwọ ti ECC fun imọ iwọn otutu ati Circuit ampilifaya ifura fun imukuro aiṣedeede adaṣe ni a dabaa, ati agbara gigun kẹkẹ 1012 ati kikọ 7ns ati akoko kika 5ns ti ṣaṣeyọri, eyiti o jẹ awọn ipele ti o dara julọ ti a royin titi di isisiyi.
 
Iwe naa “A 9-Mb HZO-orisun FeRAM ifibọ pẹlu 1012-Cycle Ifarada ati 5/7ns Ka/Kọ nipa lilo ECC-Iranlọwọ Data Refresh” da lori awọn esi ati aiṣedeede-Fagilee Sense Amplifier “ti yan ni ISSCC 2023, ati ërún ti yan ni ISSCC Ririnkiri Ikoni lati wa ni han ni alapejọ.Yang Jianguo jẹ onkọwe akọkọ ti iwe naa, ati Liu Ming ni onkọwe ti o baamu.
 
Iṣẹ ti o jọmọ ni atilẹyin nipasẹ National Natural Science Foundation of China, National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology, ati B-Class Pilot Project of the Chinese Academy of Sciences.
p1(Fọto ti chirún FeRAM ti o da lori 9Mb Hafnium ati idanwo iṣẹ ṣiṣe chirún)


Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹrin Ọjọ 15-2023