Iru tuntun ti chirún iranti ferroelectric ti o da lori hafnium ni idagbasoke ati apẹrẹ nipasẹ Liu Ming, Academician ti Institute of Microelectronics, ti gbekalẹ ni IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) ni 2023, ipele ti o ga julọ ti apẹrẹ iyika iṣọpọ.
Iṣẹ-giga ti a fi sii iranti ti kii ṣe iyipada (eNVM) wa ni ibeere giga fun awọn eerun SOC ni ẹrọ itanna olumulo, awọn ọkọ ayọkẹlẹ adase, iṣakoso ile-iṣẹ ati awọn ẹrọ eti fun Intanẹẹti ti Awọn nkan. Iranti Ferroelectric (FeRAM) ni awọn anfani ti igbẹkẹle giga, agbara agbara-kekere, ati iyara giga. O ti wa ni lilo pupọ ni iye nla ti gbigbasilẹ data ni akoko gidi, kika data loorekoore ati kikọ, agbara kekere ati awọn ọja SoC/SiP ti a fi sii. Iranti Ferroelectric ti o da lori ohun elo PZT ti ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-pupọ, ṣugbọn ohun elo rẹ ko ni ibamu pẹlu imọ-ẹrọ CMOS ati pe o nira lati dinku, ti o yori si ilana idagbasoke ti iranti ferroelectric ibile jẹ idilọwọ ni pataki, ati isọdọkan ifibọ nilo atilẹyin laini iṣelọpọ lọtọ, o nira lati ṣe olokiki ni iwọn nla. Miniaturability ti iranti ferroelectric orisun-hafnium tuntun ati ibamu rẹ pẹlu imọ-ẹrọ CMOS jẹ ki o jẹ aaye iwadii ti ibakcdun ti o wọpọ ni ile-ẹkọ giga ati ile-iṣẹ. Iranti ferroelectric ti o da lori Hafnium ni a ti gba bi itọsọna idagbasoke pataki ti iran atẹle ti iranti tuntun. Ni lọwọlọwọ, iwadii ti iranti ferroelectric orisun-hafnium tun ni awọn iṣoro bii igbẹkẹle ẹyọkan ti ko pe, aini apẹrẹ chirún pẹlu iyika agbeegbe pipe, ati iṣeduro siwaju sii ti iṣẹ ipele ërún, eyiti o ṣe idiwọ ohun elo rẹ ni eNVM.
Ifọkansi si awọn italaya ti o dojukọ nipasẹ ifibọ hafnium-orisun ferroelectric iranti, awọn egbe ti Academician Liu Ming lati Institute of Microelectronics ti ṣe apẹrẹ ati imuse megab-magnitude FeRAM igbeyewo ërún fun igba akọkọ ni agbaye da lori awọn ti o tobi-asekale Integration Syeed ti hafnium-orisun ferroelectric iranti ibaramu ti ferroelectric ti hafnium ti o ni ibamu pẹlu CM. kapasito ni 130nm CMOS ilana. Circuit kikọ ti o ṣe iranlọwọ ti ECC fun imọ iwọn otutu ati Circuit ampilifaya ifura fun imukuro aiṣedeede adaṣe ni a dabaa, ati agbara gigun kẹkẹ 1012 ati kikọ 7ns ati akoko kika 5ns ti ṣaṣeyọri, eyiti o jẹ awọn ipele ti o dara julọ ti a royin titi di isisiyi.
Iwe naa "A 9-Mb HZO-based Embedded FeRAM with 1012-Cycle Endurance and 5 / 7ns Read / Kọ nipa lilo ECC-Assisted Data Refresh" da lori awọn esi ati Aṣiṣe-Fagilee Sense Amplifier "ti yan ni ISSCC 2023, ati pe a ti yan chirún ni ISSCC 2023. onkọwe akọkọ ti iwe naa, ati Liu Ming jẹ onkọwe ti o baamu.
Iṣẹ ti o jọmọ ni atilẹyin nipasẹ National Natural Science Foundation of China, National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology, ati B-Class Pilot Project of the Chinese Academy of Sciences.
(Fọto ti chirún FeRAM ti o da lori 9Mb Hafnium ati idanwo iṣẹ ṣiṣe chirún)
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹrin Ọjọ 15-2023
