FDD86102LZ MOSFET 100V N-ikanni PowerTrench MOSFET

Apejuwe kukuru:

Awọn olupese: ON Semikondokito
Ẹka Ọja: Awọn transistors – FETs, MOSFETs – Nikan
Iwe Data:FDD86102LZ
Apejuwe: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Ipo RoHS: Ibamu RoHS


Alaye ọja

ọja Tags

♠ Apejuwe ọja

Ipinfunni del ọja Valor de abuda
Ohun elo: onsemi
Ẹka ti ọja: MOSFET
RoHS: Awọn alaye
Imọ-ẹrọ: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: DPAK-3
Polaridad del transistor: N-ikanni
Número de canales: 1 ikanni
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id - Corriente de drenaje tẹsiwaju: 42 A
Rds Lori - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 26 nc
Awọn iwọn otutu ti o ni ibatan si: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 54 W
Modo canal: Imudara
Nombre nombrecial: PowerTrench
Empaquetado: Reli
Empaquetado: Teepu Ge
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Iṣeto: Nikan
Transconductancia hacia delante - Mín.: 31 S
Altura: 2.39 mm
Longitud: 6,73 mm
Ilana ti ọja: MOSFET
Seria: FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Ẹka-ẹka: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-ikanni
Ancho: 6,22 mm
Peso de la unidad: 0,011640 iwon

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